谢希德

1921年3月19日，谢希德出生于福建省泉州市，她小时候喜欢在父亲的书房看书。初中二年级，谢希德转学到北京贝满女中就读。

1937年，卢沟桥事变后，谢希德全家随父亲南下逃难到了贵阳，此时她股关节结核病使她卧床不起而辍学，4年后她离开病榻，重新站了起来。

1946年，谢希德从厦门大学数理系毕业后，前往上海沪江大学任教。

1947年，谢希德赴美国史密斯学院留学。

1949年，谢希德在史密斯学院获硕士学位。当中华人民共和国成立的喜讯传来，她下定决心，一旦学业结束即行回国。以后她又转入麻省理工学院，专攻理论物理。

1951年，谢希德获得麻省理工学院博士学位后，即积极谋划回国。

1956年5月，加入了中国共产党。同年秋为了实现国家12年科学发展规划，她被国务院调到北京大学共同创办半导体物理专门化，黄昆任教研组主任，谢希德任副主任，她一方面继续指导她由上海带来的两名研究生；另一方面，她又与物理学家黄昆合作，潜心编著

科研综述

1963年至1965年，谢希德和她的助手们开展了对硒化锌、锑化铟等的研究，获得初步成果。他们先后在《物理学报》和《复旦大学学报》发表一系列关于群论在固体物理研究中应用的科学论文。

20世纪60年代初，国际上硅平面工艺兴起，谢希德和黄昆敏锐地看到这将促进半导体技术和物理的迅猛发展，联名建议开展固体能谱研究，并由北京大学、复旦大学、南京大学共同承担。

多年的努力和在国家科委和国家自然科学基金会的支持下，现代物理研究所的表面物理实验室于1990年经国家计委组织专家评审，被确定为国家应用表面物理开放实验室。在谢希德指导和王迅的努力下，该实验室在化合物半导体GaAs和InP的极性表面结构和电子态，表面界面结构，Si/Ge超晶格的生长机制和红外探测器件、多孔硅发蓝色光、蓝色激光材料研制，锗量子点的生长和研究，磁性物质超晶格等方面取得出色成果。

学术交流

谢希德在与国际科技界友好往来和学术交流中，显示了特

1952年5月，谢希德和曹天钦举行了婚礼。1966年8月谢希德患了乳腺癌。

谢希德是中国半导体物理学科和表面物理学科开创者和奠基人，在表面和界面物理以及量子器件和异质结构电子性质理论研究方面成果突出，为中国高等教育事业的发展、物理学科研机构的建立与发展，科教领域的国际交流和合作以及物理学会的工作做出突出的贡献。

谢希德是物理学家、教育家，她是中国半导体物理学的开拓者之一，是中国表面物理学的先驱者和奠基人之一，在国际半导体物理学和表面物理等学术机构中担任多项职务，是中国在国际上这些领域中的代表性人物，她对中国凝聚态物理的研究和发展，倾注了毕生的心血，成就卓著。

1982年，美国物理学家、1998年诺贝尔化学奖获得者，W.科恩（Kohn）来华讲学，回国后评论说：“谢希德教授作了明智的选择，在复旦大学开展表面物理研究”。

80年代初，美国著名科学家，两次诺贝尔物理学奖获得者J.巴丁（Bardeen）率团访华。他回国后称赞说：“在中国科学界中，谢希德教授是属于最有影响的人士之一。

谢希德物理奖

2006年12月21日，谢希德物理奖正式设立，由中国物理学会和上海市科学技术协会联合主办，每两年评选一次，奖励为物理学和物理教育做出突出贡献的中国女物理学工作者。

谢希德先生诞辰90周年

2011年3月19日，是谢希德先生诞辰90周年的日子。3月20日，“革故鼎新熔铸光华——纪念谢希德先生诞辰90周年”座谈会在复旦大学逸夫科技楼二楼多功能厅隆重举行，校党委书记秦绍德、校长杨玉良出席座谈会。