高鼎三

1914年7月24日，高鼎三出生于上海市一个贫寒家庭，其父是江苏宜兴丁蜀镇人。7岁靠母亲的缝纫劳作和舅舅的照顾，开始到江阴观音寺小学读书。两年后，母亲带他及弟弟去北京、营口等地找到了为生计而奔波的父亲。饱经颠沛的高鼎三很知上学不易，每到一处甚为用功。13岁那年，因北方难以谋生，母亲又带他们回到了江阴。迫于生计，高鼎三只好弃学到当地一家绸布店当学徒，一连6载。学徒期间，他抓紧空闲时间阅读报纸，在16岁那年又函授攻读文科。30年代初期，国内政治动荡，市场萧条、店铺倒闭，高鼎三失业了。

1933年，时已年及20，从没学过英语、数学、物理、化学的高鼎三在其刚从美国学成归来的姨母的鼓励与资助下，在家自学半年后考入上海大同大学附中（高中），以半工半读形式读至毕业。

1934年2月，考入上海大同大学附中读书。

1937年7月，考入交通大学，并得到了上海爱国化学家吴蕴初出资设立的清寒教育基金资助。上海“八一三”战

开拓中国半导体事业

早在50年代初期，高鼎三在美国国际整流器公司工作期间，就曾提出一种新的工艺方法，为该公司解决了大面积大电流整流器的制造难题，他在那时主持研制成功的半导体大功率整流器，已被当时美国的有关业界用于美国火箭发动机、化工自动控制系统之中。

1956年2月，他去北京参加中国物理学会召开的关于半导体研究的会议。会上他满怀信心地提出：“要开展半导体的研究，赶上世界先进水平”。回校后，他带领半导体研制小组的同志，仅仅利用5个星期的时间就试制成锗大功率整流器。这是中国第一个用锗材料制造成的功率器件。

1956年3月25日向“全国科学规划会议”报喜后，4月14日的《人民日报》、5月29日的《光明日报》及科学出版社在以后为庆祝建国十周年而出版的《十年来的中国科学》都对此作了详细报导。此后不久，他又在国内研制成功锗点接触二极管和三极管。这些成果在当时被视为具有世界先进水平。

1958～1959年，在他的

在1948～1955年期间，身处异国的高鼎三时时关心祖国的命运，他参加了进步组织“留美科协”并被推选为海湾地区候补副理事长，还担任加州大学中国留学生学生会副主席。

高鼎三曾经担任过由清华大学、吉林大学和中科院半导体研究所联合组建的“集成光电子学国家重点实验室”首届学术委员会主任（1990～1993），中国电工学会理事，全国电工技术学会电力电子学会理事及中国电子学会半导体与集成技术分会委员，国家科委光通信专业组顾问及长春市物理学会副理事长，吉林省电子学会副理事长等学术职务。

高鼎三是中国半导体事业的开拓者，并组建了吉林大学“集成光电子国家重点实验室”，为中国光电器件和半导体激光器发展倾注了毕生精力，并培养了一大批专业人才。